米国コントロール・システメーション社
| 半導体デバイス不良解析用レーザ加工装置 モデル F/A LIT （特許取得済み） F/A LITは、 不具合の発見されたバイスや開発段階のパッケージの解析のために、レーザによる最新技術によりモールドコンパウンドの選択剥離、デバイスの高精度高速切断を行い、従来の工法と比べ、格段に早く、安全で、信頼性の高い不具合解析が行えるレーザ加工システムです。 モールド剥離には固体レーザのＩＲビームが使用され、物質の波長吸収特性の違いを利用することにより、金線やボンディング部等に最小限のダメージで任意の指定箇所のみ選択剥離することが出来ます。 デバイス切断には高品位ＹＡＧレーザのグリーンビームが使われ、ミクロンオーダーの加工精度で制御され、切断の観察が行えます。 |
 
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ディバイス切断面
モールド剥離
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